最近半導体業界で最大の話題は米マイクロンのHBM3E量産のニュースだった。メモリー半導体の激戦地に浮上した高帯域幅メモリー(HBM)市場でSKハイニックスとサムスン電子に押されシェア10%未満であるマイクロンが先月26日に第5世代HBM3Eを世界で初めて量産すると電撃発表し勝負に出た。今年エヌビディアに納品することにしたという受注事実まで異例に自ら公開した。これでマイクロンはメモリービッグ3のうちSKハイニックスに次いでエヌビディアのHBM3Eパートナーになった。
マイクロンはサムスン電子だけでなくSKハイニックスと比較しても売り上げや生産能力で大きく劣る「万年メモリーナンバー3」だった。マイクロンはメモリービッグ3のうち唯一先端DRAM工程に必須の極端紫外線(EUV)露光装備を備えていなかった。
これまでは3ナノメートル(1ナノメートル=10億分の1メートル)以下の最先端工程競争に入り込んだシステム半導体で主にEUVを使ってきた。だがメモリー半導体業界でもEUV工程が当然視される雰囲気だ。サムスンとSKハイニックスは平沢(ピョンテク)と利川(イチョン)工場ですでに最新型DRAM生産にEUV工程を使っている。マイクロンがEUV装備なしでHBM3Eを量産するには工程効率の側面で大きな損害を甘受しなければならない。生産コストが大きく上がるという意味だ。
これに対しマイクロンもEUV導入に出た。台湾デジタイムズによると、マイクロンは昨年末から台湾の台中工場で本格的なEUV工程適用に入った。マイクロンのサンジャイ・メロトラ最高経営責任者(CEO)は「来年までに台湾と日本の広島工場でEUVを導入しDRAMを生産するだろう」と明らかにした。
半導体産業専門家らの情報を総合すると、マイクロンの今回の決定は根拠のない賭けではなかった。最近マイクロンは米国本社にある研究所と日本研究所に工程を交互に開発させるジグザグ戦略を駆使してきた。半導体専門調査機関テックインサイツのチェ・ジョンドン首席副社長は「米国研究所が第1・第3世代工程を研究すればこれまで日本研究所は第2・第4世代の工程を引き受ける形。5年間の開発時間を競合企業に比べ半分近く減らすことができた」と分析する。
業界では実際のDRAM性能を左右する集積度の側面でマイクロンが確実にサムスン電子をリードしたと断言するのは難しいとしながらも、少なくともメモリー3社の先端工程技術力の格差はもうほとんどなくなったとみる。半導体業界関係者は「マイクロンがEUVなしでここまできたとすれば原価と歩留まりなどすべての面で大きな損害を甘受してでも顧客であるエヌビディアの要求に合わせて供給したもの。必要なものがないのになんとかやり抜いた格好」と評価した。
マイクロンはメモリービッグ3のうち唯一の米国企業である点で相対的利点は今後もっと大きくなるかもしれない。米国政府が強固な支援軍の役割をできるためだ。
半導体業界ではマイクロンの奇襲に虚を突かれたサムスン電子の現住所をめぐり冷静な評価が出ている。既存のDRAM製品と違いHBMは顧客オーダーメード型製品だ。チップ性能だけでなくHBM製造の核心であるボンディング(接合)のようなパッケージング技術まですべて徹底的に顧客の要求に合わせなくては受注できないということだ。
匿名の半導体業界関係者は、「過去だったらサムスンがやったような果敢な勝負の賭けをマイクロンが先に仕掛けた形。30年間メモリー1位を守ってきたサムスンがこれまで逃していたものが何かを振り返らなくてはならない時」と話した。
https://news.yahoo.co.jp/articles/e60840c779f4fac7991d067a58a7c0210e99e42f
32:ななしさん
万年属国が何か言ってます